國慶長假期間，港股市場迎來半導(dǎo)體板塊的強(qiáng)勁表現(xiàn)。10月2日開盤后，中芯國際股價(jià)迅速攀升，盤中最大漲幅超過13%，創(chuàng)下歷史新高。華虹半導(dǎo)體同步走強(qiáng)，漲幅突破7%，帶動香港半導(dǎo)體指數(shù)整體上漲超過6%。值得注意的是，此次行情啟動正值港股通暫停交易，外資成為推動股價(jià)上漲的核心力量。

今年以來，半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。中芯國際累計(jì)漲幅達(dá)182%，華虹半導(dǎo)體股價(jià)更是飆升近300%?？缇呈袌雎?lián)動效應(yīng)顯著，美股存儲芯片龍頭美光科技隔夜大漲8.86%，9月單月漲幅高達(dá)40%。機(jī)構(gòu)分析指出，全球存儲芯片市場正經(jīng)歷新一輪價(jià)格上行周期，摩根士丹利預(yù)測內(nèi)存芯片行業(yè)將迎來"超級周期"，AI服務(wù)器需求激增推動存儲半導(dǎo)體價(jià)格穩(wěn)步上漲。

外資機(jī)構(gòu)近期密集上調(diào)中芯國際評級。高盛在9月29日報(bào)告中明確表示看好公司中長期訂單擴(kuò)張，將H股目標(biāo)價(jià)從83.5港元提升至95港元，維持"買入"評級。技術(shù)層面，英偉達(dá)CEO黃仁勛關(guān)于"中國芯片制造技術(shù)僅落后美國數(shù)納秒"的論斷，進(jìn)一步點(diǎn)燃了市場對國產(chǎn)替代概念的熱情。

支撐行業(yè)景氣的三大邏輯逐漸清晰：全球HBM市場規(guī)模預(yù)計(jì)從2023年的30億美元激增至2027年的530億美元，主要受AI基礎(chǔ)設(shè)施投資驅(qū)動；三星電子已通知客戶第四季度將上調(diào)產(chǎn)品合約價(jià)，DRAM漲幅達(dá)15%-30%，NAND漲幅5%-10%；摩根士丹利預(yù)測NAND Flash價(jià)格將持續(xù)上漲至2026年。作為國內(nèi)唯一掌握先進(jìn)制程技術(shù)的晶圓代工企業(yè)，中芯國際訂單能見度已延伸至2026年。

公司管理層的專業(yè)背景引發(fā)市場關(guān)注。董事長劉訓(xùn)峰擁有西安交通大學(xué)管理科學(xué)與工程博士學(xué)位和中歐國際工商學(xué)院MBA學(xué)位，具備30余年企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)。聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍系清華大學(xué)無線電電子學(xué)博士，梁孟松則持有美國加州大學(xué)伯克萊分校電機(jī)工程博士學(xué)位，擁有超過450項(xiàng)專利，曾當(dāng)選電氣與電子工程師協(xié)會院士。

行業(yè)數(shù)據(jù)印證著復(fù)蘇態(tài)勢。銀河證券統(tǒng)計(jì)顯示，2024年上半年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)3460億美元，同比增長18.9%。中芯國際通過"制程升級+產(chǎn)能擴(kuò)張"雙輪驅(qū)動提升競爭力，已完成14nm FinFET量產(chǎn)，2024年資本支出達(dá)73.3億美元，重點(diǎn)投向上海、北京、深圳、天津的12英寸晶圓廠擴(kuò)建項(xiàng)目。預(yù)計(jì)2025年本土晶圓代工市場規(guī)模將達(dá)1026億元，公司在成熟制程擴(kuò)產(chǎn)和本土供應(yīng)鏈建設(shè)中扮演關(guān)鍵角色。

盡管股價(jià)屢創(chuàng)新高，中芯國際仍面臨挑戰(zhàn)。公司在AI芯片制造領(lǐng)域的良率穩(wěn)定性有待提升，全球市場份額約6%的排名雖居第三，但與臺積電的差距依然明顯。技術(shù)追趕的最后階段，考驗(yàn)的不僅是工藝突破能力，更是持續(xù)創(chuàng)新和穩(wěn)定量產(chǎn)的綜合實(shí)力。