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臺積電2027年將推超大CoWoS封裝:光罩尺寸提升至9倍

   時間:2024-11-29 11:18 作者:沈瑾瑜

在近期舉辦的歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上,臺積電宣布了一項雄心勃勃的技術(shù)規(guī)劃,旨在進一步推動半導(dǎo)體封裝技術(shù)的邊界。據(jù)悉,該公司計劃在2027年推出一款名為“Super Carrier”的超大尺寸晶圓級封裝(CoWoS)技術(shù),該技術(shù)預(yù)計將實現(xiàn)光罩尺寸的大幅躍升,達到現(xiàn)有尺寸的9倍之多,并支持最多12個HBM4內(nèi)存堆疊。

臺積電一直以來都是半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的引領(lǐng)者,每年都會推出新技術(shù)以滿足客戶對功耗、性能和面積(PPA)的不斷改進需求。然而,隨著高性能計算領(lǐng)域的快速發(fā)展,即便是當前最先進的EUV光刻工具所支持的光罩尺寸(858平方毫米),也已逐漸難以滿足部分高端客戶的需求。

為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),臺積電早在2016年就推出了初代CoWoS封裝方案,該方案在當時已經(jīng)能夠支持約1.5倍的光罩尺寸。經(jīng)過多年的技術(shù)迭代和升級,如今的CoWoS技術(shù)已經(jīng)能夠支持3.3倍的光罩尺寸,并成功封裝了8個HBM3堆棧。這一顯著的進步不僅提升了芯片的集成度和性能,也為高端計算應(yīng)用提供了更為強大的支持。

在此基礎(chǔ)上,臺積電再次邁出了重要一步。根據(jù)公司的規(guī)劃,在2025至2026年期間,他們將進一步升級CoWoS技術(shù),使其能夠支持5.5倍的光罩尺寸,并達到最高12個HBM4內(nèi)存堆疊的封裝能力。這一技術(shù)的實現(xiàn),將再次刷新半導(dǎo)體封裝技術(shù)的記錄,為未來的高性能計算應(yīng)用提供更加堅實的基礎(chǔ)。

而到了2027年,臺積電更是計劃推出其“Super Carrier”超大尺寸CoWoS封裝方案。這一方案將實現(xiàn)光罩尺寸的9倍增長,為芯粒和內(nèi)存提供高達7722平方毫米的廣闊空間。這一技術(shù)的推出,無疑將再次引領(lǐng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展潮流,為未來的芯片設(shè)計和制造帶來前所未有的可能性。

 
 
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