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研華新品來襲!SQRAM CXL 2.0 Type 3內(nèi)存模塊有何亮點(diǎn)?

   時(shí)間:2024-10-15 17:16 作者:楊凌霄

研華Advantech近期隆重推出了其最新的SQRAM CXL 2.0 Type 3內(nèi)存模塊——SQR-CX5N。這款內(nèi)存模塊不僅采用了16.8mm厚的EDSFF E3.S 2T外形規(guī)格,還兼容CXL 1.1標(biāo)準(zhǔn),并支持熱插拔功能,為數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存擴(kuò)展帶來了極大的便利。

SQR-CX5N內(nèi)存模塊擁有64GB的容量,基于先進(jìn)的DDR5-5600 DRAM技術(shù),并內(nèi)置了RCD(寄存時(shí)鐘驅(qū)動器)芯片。其電路板金手指部分經(jīng)過30μ鍍金處理,同時(shí)對電阻進(jìn)行了抗硫化處理,增強(qiáng)了模塊的耐用性和穩(wěn)定性。

研華指出,SQRAM CXL 2.0 Type 3內(nèi)存模塊能夠在服務(wù)器持續(xù)運(yùn)行的狀態(tài)下,實(shí)現(xiàn)內(nèi)存的添加或移除操作。這一特性使得數(shù)據(jù)中心能夠根據(jù)實(shí)際需求動態(tài)地調(diào)整內(nèi)存資源,從而提高資源利用率并有效解決數(shù)據(jù)中心面臨的各種挑戰(zhàn)。

 
 
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