近期，臺灣內(nèi)存制造商南亞科技在AI DRAM領域加速其戰(zhàn)略部署，旨在從高度競爭的HBM市場中脫穎而出，特別是在全球三大內(nèi)存制造商激烈角逐的背景下。這一動向得到了臺灣《工商時報》與《經(jīng)濟日報》的綜合報道。

南亞科技的領航者，總經(jīng)理李培瑛，強調(diào)了AI應用內(nèi)存技術(shù)的四大核心要素：先進且高密度的DRAM技術(shù)、3D TSV硅通孔技術(shù)與多芯片封裝工藝、HBM設計實力，以及邏輯Base Die（基礎裸晶）的應用。他透露，南亞科技已在先進DRAM技術(shù)領域完成布局，并與補丁科技與福懋科技攜手，共同推進TSV技術(shù)和封裝技術(shù)的發(fā)展。

對于HBM設計與邏輯制程Base Die的獲取，南亞科技采取了戰(zhàn)略性的投資與合作策略。據(jù)李培瑛介紹，南亞科技的定制化DRAM項目預計在2026年就能獲得驗證，并在2026年底至2027年期間為公司業(yè)績做出貢獻。

面對當前市場環(huán)境的變化，南亞科技正積極應對。由于三大內(nèi)存制造商相繼減產(chǎn)或停產(chǎn)DDR3、DDR4產(chǎn)品，南亞科技抓住了這一轉(zhuǎn)單機遇。同時，隨著市場提前備貨的趨勢顯現(xiàn)，南亞科技有望在第三季度完成庫存清理，并在第四季度努力實現(xiàn)扭虧為盈的目標。